차세대 포토닉 및 전자 기술의 급속한 발전으로 육방정계 질화붕소(hexagonal boron nitride, hBN)는 2차원 물질 연구의 최전선에 자리하고 있다. 심자외선 대역 가장자리(band-edge) 발광, 우수한 유전 특성, 그리고 양자 결함을 수용할 수 있는 능력으로 잘 알려진 hBN은 다양한 응용 분야에 걸쳐 활용 가능한 다목적 플랫폼을 제공한다. 그러나 이러한 성능을 웨이퍼 스케일에서 구현하려면 높은 결정성을 보장할 뿐 아니라 정밀한 기능기화(functionalization) 제어를 제공하는 적절한 합성 기술이 필요하며, 이는 금속-유기 화학기상증착(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 효과적으로 해결되고 있다. 본 리뷰는 고품질 hBN 에피택시에 주로 초점을 두던 기술로서의 MOCVD가 결함 공학, 도핑 제어, 적층 서열(stacking sequences)을 위한 강력한 도구로 진화해 온 과정을 조명한다. 광학적·전자적·양자적 기능을 조절할 수 있는 웨이퍼 스케일 합성을 가능하게 함으로써, MOCVD로 성장된 hBN은 광전자공학, 양자 정보 과학, 그리고 차세대 반도체 기술에서의 혁신적인 발전을 위한 길을 열고 있다.

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