Wafer-Scale h-BN Growth on GaN and Quantum Emitter Development
연구 내용
GaN 기판 위 웨이퍼 스케일 h-BN 적층 구조를 구현하고, h-BN 기반 양자 발광원을 통해 차세대 양자 기술 요소를 개발하는 연구
GaN 기판에서 h-BN을 대면적 수준으로 성장시키기 위해 적층 구조(AA-stacked) 형성과 결정 품질을 공정 조건과 연계하여 제어합니다. 성장된 h-BN 박막은 광·전자 특성 관점에서 소자화 가능성을 평가하며, 특히 h-BN의 양자 발광 중심을 기반으로 차세대 Quantum technology용 발광 특성을 연구합니다. 이를 통해 웨이퍼 스케일 소재 공정과 양자 발광 성능을 연결하는 재료-소자 통합 접근을 수행합니다. 결과적으로 양자 발광원 구현을 위한 재현성 있는 성장 플랫폼을 확보하는 데 초점을 둡니다.
관련 연구 성과
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2편
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연구 흐름
초기에는 GaN 기판에서 h-BN이 어떻게 적층 구조로 형성되는지에 대한 성장 지배 요소를 확인하고, 웨이퍼 스케일로 확장 가능한 공정 조건을 탐색했습니다. 이후 결정 품질과 박막 구조가 광학 특성에 미치는 영향을 분석하며, 소재 수준에서 양자 발광 연구로의 전환 기반을 마련했습니다. 최근에는 h-BN 기반 Quantum emitters를 차세대 양자 기술 관점에서 다루며, 발광 특성과 응용 가능성을 연결하는 연구 흐름으로 확장하고 있습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Wafer-scale AA-stacked hexagonal boron nitride grown on a GaN substrate
Quantum emitters based on hexagonal boron nitride for next-generation quantum technology