Interfacial Spin–Orbit-Coupling-Induced Strong Spin-to-Charge Conversion at an All-Oxide Ferromagnetic/Quasi-Two-Dimensional Electron Gas Interface
Mi‐Jin Jin, Guang Yang, Doo‐Seung Um, Jacob Linder, Jason W. A. Robinson
IF 8.2 (2025) ACS Applied Materials & Interfaces
초록
약 2.32 ± 1.3 nm로, 역(逆) REE에서 기원한 것으로 보이며, 이는 모든 금속 기반 스핀-대-전하 변환 재료 시스템과 비교할 때 상대적으로 큰 값이다. 이러한 결과는 LCMO/STO 2D 전자 가스가 스핀 기반 메모리 및 트랜지스터 응용을 위한 잠재적 플랫폼임을 시사한다.
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