김주영 교수 연구실
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논문
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인용수 0
·2026
Reductive Transformation of ALD TeO 2 into Continuous and Impurity‐Free Tellurium Films
Seung Ho Ryu, Seungsu Kim, Taikyu Kim, Jihoon Jeon, Gwang Min Park, Hyeonji Yoo, Sung‐Chul Kim, Sung Ok Won, Ju‐Young Kim, Seong Keun Kim
IF 12.1 (2026) Small
초록

-보조된 환원 경로(in situ)에서 생성되는 이 자기 제한적 과정은 높은 종횡비를 갖는 구조에서 계면 및 벌크 영역 모두로부터 산소를 완전히 제거하면서도 탁월한 순응성(conformality)을 보장한다. 그 결과로 얻어진 Te 박막은 낮은 접촉 저항 및 비평면(비정렬) 트랜지스터 구성에서의 안정적인 스위칭과 같은 우수한 전기적 특성을 나타낸다. 박막의 연속성으로부터 표면 젖음성(surface wettability)을 분리함으로써, 이러한 화학적 변환 접근법은 초박막 p형 칼코게나이드를 고급 백엔드-오브-라인(back-end-of-line) 아키텍처에 통합하기 위한 획기적인 해결책을 제공한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.

키워드
TelluriumAtomic layer depositionDecoupling (probability)Layer (electronics)Deposition (geology)Reduction (mathematics)RedoxOxygen
타입
article
IF / 인용수
12.1 / 0
게재 연도
2026

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