2D 소재 (n형 MoS2, p형 Te) 를 활용한 CFET(Complementary Field-Effect Transistor)개발을 통해 기존 CMOS 기술의 물리적·공정적 한계 돌파 및 차세대 반도체 기술 혁신 주도다중물리 이론 기반 모델링과 실험 결과의 긴밀한 융합을 통해 수직적층구조 소자에서의 열 방출 문제 및 자체 발열 현상 극복CFET의 구조 ...
상보형 전계효과 트랜지스터
2차원 물질
초저전력·고집적 반도체 소자
물리기반 시뮬레이션
이론-실험 융합연구
2
2025년 8월-2026년 8월
|176,113,000원
물리 기반 시뮬레이션-실험 연계를 활용한 2D 소재 수직 적층형 CFET 소자 개발
2D 소재 (n형 MoS2, p형 Te) 를 활용한 CFET(Complementary Field-Effect Transistor)개발을 통해 기존 CMOS 기술의 물리적·공정적 한계 돌파 및 차세대 반도체 기술 혁신 주도다중물리 이론 기반 모델링과 실험 결과의 긴밀한 융합을 통해 수직적층구조 소자에서의 열 방출 문제 및 자체 발열 현상 극복CFET의 구조 ...
상보형 전계효과 트랜지스터
2차원 물질
초저전력·고집적 반도체 소자
물리기반 시뮬레이션
이론-실험 융합연구
3
2025년 6월-2028년 12월
|1,099,080,000원
고품위 중소형 디스플레이 백플레인용 2세대급 p형 칼코겐 반도체 소재의 저온 성막 시스템 및 고집적 응용 소자 개발
[최종목표]ㅇ 고품위 중소형 디스플레이 백플레인용 2세대급 p형 칼코겐 반도체 소재의 저온 성막 시스템 및 고집적 응용 소자 개발[1차년도 목표]ㅇ 저온 모듈 개발을 위한 기판 냉각 컨셉 검토 및 설계 ㅇ 2세대 (기판 370x470mm2) 진공 시스템 개발 및 챔버 설계 ㅇ 저온 ALD 공정 기반 n-type 산화물 반도체 소재의 저온 박막 증착 조건 탐...
박막 트랜지스터
칼코겐화물
피타입 반도체
저온 성막
디스플레이
4
2025년 6월-2028년 12월
|626,040,000원
고품위 중소형 디스플레이 백플레인용 2세대급 p형 칼코겐 반도체 소재의 저온 성막 시스템 및 고집적 응용 소자 개발
[최종목표]ㅇ 고품위 중소형 디스플레이 백플레인용 2세대급 p형 칼코겐 반도체 소재의 저온 성막 시스템 및 고집적 응용 소자 개발[1차년도 목표]ㅇ 저온 모듈 개발을 위한 기판 냉각 컨셉 검토 및 설계 ㅇ 2세대 (기판 370x470mm2) 진공 시스템 개발 및 챔버 설계 ㅇ 저온 ALD 공정 기반 n-type 산화물 반도체 소재의 저온 박막 증착 조건 탐...
박막 트랜지스터
칼코겐화물
피타입 반도체
저온 성막
디스플레이
5
2025년 5월-2028년 2월
|304,060,000원
핵심(후속) : MEMS 센서 핵심 연구 지원센터
- 핵심연구지원시설 유지관리, 연구인력/전담인력 연구역량강화 및 공동장비활용/공동연구 수익금을 통한 센터 자립화- 대내외 기관에 대한 공정서비스 극대화, 동종 연구자와의 네트워크 체계 구축/활용을 통한 공동연구 활성화- 당 센터의 플랫폼 활용으로 국내 MEMS 센서 기업의 기술경쟁력 향상- 과제개발 목표(3년 누적) 1. 노후장비 이전교체 15점 2. 전담...