) 음이온. 실험 결과는 전기이중층 모델에 대한 이론적 계산과 비교하였다. RTIL/Pt 계면에서의 히스테리시스 반응은 주로 음이온 탈착의 활성화 에너지에서 기인하며, 이는 음이온 탈착에 요구되는 음의 과잉 전위를 유발한다. 순수한 RTIL에서의 음이온 흡착/탈착 거동을 이성분 및 희석 RTIL과 비교한 결과, 순수한 RTIL/Pt 계면에서의 음이온 탈착에 대한 큰 활성화 에너지는 확산층에서의 이온 층상 재구성에 대한 활성화 장벽에서 상당 부분 기인함이 밝혀졌다.
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