반도체 산화바나듐(VO2) 박막을 기반으로 한 대역 스위칭이 가능하고 조절 가능한 테라헤르츠(THz) 메타물질이 THz 주파수 영역에서 제안되었다. 높은 도전도 변화율과 매끄러운 상전이 특성을 갖는 VO2 박막을 증착하였다. 대역 스위칭 특성을 얻고 THz 파 손실을 감소시키기 위해, VO2 박막을 선(line) 형태로 식각하였다. 두 개의 직사각형 C-형 공진기가 서로 마주 보도록 구성하였고, 그 사이에 식각된 VO2 박막 선을 배치하였다. VO2 박막이 절연체 상에 있을 때에는 두 공진기가 각각 공진하였으며, VO2 박막이 금속 상에 있을 때에는 두 공진기가 연결되어 하나로서 공진하여 대역 스위칭 특성을 보였다. 제작된 메타물질은 VO2 박막의 상태에 따라, 두 공진기가 전기적으로 분리되어 있을 때는 1.29 THz에서 공진하고, 전기적으로 연결되어 있을 때는 0.65 THz에서 공진하였다. 대역 스위칭 과정에서 THz 파 전달 특성은 연속적으로 조절 가능하였다. 제안된 구조의 측정 결과는, 식각된 VO2 박막을 기반으로 한 직사각형 C-형 메타물질이 대역 스위칭 및 연속 전송 제어를 수행할 수 있음을 명확히 보여주었다. 가까운 미래에는 식각된 VO2 박막 기반의 대역 스위칭이 가능하고 조절 가능한 THz 메타물질이 THz 6G 무선 통신 기술의 핵심 소자로 활용될 수 있다.

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