김지훈 교수 연구실
Ongoing Project
차세대 3D IC (TSV Cu fill/ HBM 고단 적층/ 웨이퍼 본딩) 공정 웨이퍼 5㎛ 이하 결함 검사 초-고대역 C-SAM (SAT) 원천 요소 기술 개발
상세 설명
산업통상자원부 '소재부품기술개발(R&D)-이종기술융합형' 사업에 선정되어 2024년 7월부터 2026년 12월까지 연구비를 지원 받음
기관명
산업통상자원부
키워드
3D ICTSV Cu fillHBM 고단 적층웨이퍼 본딩결함 검사초-고대역 C-SAMSAT산업통상자원부소재부품기술개발이종기술융합형
프로젝트 기간
2024년 7월 - 2026년 12월