[2차년도]3D IC (TSV Cu fill/ HBM 고단 적층/ 웨이퍼 본딩) 공정 웨이퍼 5㎛ 이하 결함 검사 초-고대역 C-SAM (SAT) 원천 요소 기술 개발 | 김지훈 교수 연구실 | Division of ICT Convergence Engineering, Electronic Engineering

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[2차년도]3D IC (TSV Cu fill/ HBM 고단 적층/ 웨이퍼 본딩) 공정 웨이퍼 5㎛ 이하 결함 검사 초-고대역 C-SAM (SAT) 원천 요소 기술 개발

프로젝트 기간

2025년 1월 - 2025년 12월

주식회사 디써클

대표 장재우,이윤구서울특별시 강남구 역삼로 169, 명우빌딩 2층 (TIPS타운 S2)대표 전화 0507-1312-6417이메일 info@rndcircle.io사업자등록번호 458-87-03380호스팅제공자 구글 클라우드 플랫폼(GCP)