페로브스카이트의 재료 물성에서 높은 재현성을 달성하는 것은, 태양전지 및 발광다이오드와 같은 광전자 소자 응용의 신뢰할 수 있는 개발에 필수적이다. 그러나, 특히 저차원(감소된 차원) 페로브스카이트에서는, 서로 다른 2D/준(準)-2D 페로브스카이트 막의 층 수가 유사한 형성 에너지를 갖기 때문에, 이러한 재료로부터 재현 가능하고 최적화된 성능을 얻는 것이 어려울 수 있다. 여기에서는 용액 공정 중 정확한 주변 온도의 변화가, 낮에도 또는 계절에 따라 발생할 수 있듯이 비록 21–31 °C의 작은 범위 내일지라도, Ruddlesden–Popper 상의 페로브스카이트가 형성되는 과정과 결정학적 배향에 영향을 미친다는 점을 보고한다. 해당 페로브스카이트의 조성은 PEA2MAn–1PbnBr3n+1이다. 우리는 주변 온도(약 21 °C)에서의 성장이 주로 저-n 상의 페로브스카이트, 특히 기판과 평행한 배향을 갖는 n = 1 상을 선호한다는 것을 확인하였다. 반대로, 더 높은 주변 온도(약 26 및 31 °C)는 수직 배향을 갖는 고-n 상의 비율을 더 크게 만들고, 저-n 상의 형성은 억제하였다. 평행 배향과 수직 배향의 공존이 전기적 및 광물리적 특성을 향상시키며, 그 결과 발광 소자의 성능이 개선된다는 점을 보여준다. 또한 더 높은 주변 온도는 입방체 결정의 형성을 통해 표면 형태를 변화시킨다. 결과적으로 정밀한 주변 온도는 최대 휘도에 대해 상대표준편차 9.9%를 제공하는 반면, 온도가 통제되지 않을 경우 상대표준편차가 71.4%로 높게 나타난다. 이러한 결과는 적층 페로브스카이트의 공정 동안 주변 온도 제어의 중요성을 강조한다. 본 연구는 저차원 페로브스카이트 기반 소자의 제작에서 재현성을 향상시키는 데 광전자 소자 연구 분야에 도움이 될 것으로 기대한다.

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