c-Si 광전지 위에 가시광을 파장 의존성 없이 전달할 수 있는 빛 투과 구조를 형성하는 것은 중성색 투명 c-Si 광전지(c-Si TPV)를 구현하기 위한 유망한 전략이다. 그러나 c-Si 위에 빛 투과 구조를 형성하는 데 사용되는 건식 식각은, 스칼롭(scallops)과 플라즈마 유발 손상 등 c-Si의 나노스케일 표면 손상을 불가피하게 야기한다. 이는 캐리어 재결합을 악화시켜 c-Si TPV의 전력 변환 효율(PCE)을 감소시킨다. 본 연구에서는 c-Si 마이크로홀에서 나노스케일 표면 손상을 제거하기 위한 효과적인 화학 처리 방법을 제안한다. 화학 처리 후의 대면적 중성색 c-Si TPV는 투과율 20%에서 높은 PCE 14.5%를 보인다. 또한 이 화학 처리는 홀 크기에 대한 체계적인 제어(167 nm/s)를 가능하게 하며, 그에 따라 투과율을 10%에서 70%까지 손쉽게 조절할 수 있다. 제안된 화학 처리는 (1) 높은 PCE, (2) 스케일 업의 기회, (3) c-Si TPV의 용이한 빛 투과 조절이라는 세 가지 개발 요건을 만족한다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.