본 연구는 양자 컴퓨팅을 위한 Samsung 28 nm CMOS에서의 극저온 브로드밴드 3단 캐스코드 저잡음 증폭기(LNA)를 제시한다. 마이크로스트립 라인의 도전도는 4 K에서 특성화하였고, 평탄한 이득과 광대역 특성을 달성하기 위해 스태거드 튜닝을 적용하였다. 또한, 우회(bypass) 커패시터의 자기공진 주파수(SRF)를 대역의 저주파 및 고주파 경계에서 의도적으로 설정하여 광대역 안정성을 확보하였다. 4~8 GHz에서 동작하는 LNA는 6.9 GHz에서 39.1 dB의 이득을 가지며, 3-dB 대역폭은 6.8 GHz이고, 4 K에서 평균 0.45-dB의 잡음 지수(NF)를 달성한다. 이는 극저온 CMOS LNA 중 보고된 것 가운데 가장 넓은 3-dB 대역폭을 의미한다.

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