단일 실레인(SiH4) Siemens 반응기에서 열전달과 화학반응을 모델링하기 위해 계산유체역학(CFD) 기반 FLUENT 프로그램을 사용하였다. 1단계 전체 반응 SiH4 → Si + 2H2에 대한 반응 동역학 파라미터(전 예측 인자, 온도 계수, 활성화 에너지 등)는 4-로드(4-rod) Siemens 파일럿 반응기로부터 얻은 실험 데이터에 부합하도록 면밀히 최적화하였다. 확립된 모델을 사용하여 로드 직경, 반응 온도, 반응 가스 유량이 실리콘 증착률에 미치는 영향을 성공적으로 평가하였다.
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