김대현 교수 연구실
IEEE International Electron Devies Meeting
E-mode Planar Lg 35 nm In0.7Ga0.3As MOSFETs with InP/Al2O3/HfO2 (EOT 0.8 nm) Composite Insulator
구분
국외
국가
-
컨퍼런스명
IEEE International Electron Devies Meeting
발표 제목
E-mode Planar Lg 35 nm In0.7Ga0.3As MOSFETs with InP/Al2O3/HfO2 (EOT 0.8 nm) Composite Insulator
기관명
IEEE International Electron Devies Meeting
참여 연도
2012
상세 설명
IEEE International Electron Devies Meeting