김대현 교수 연구실
IEEE International Electron Devies Meeting
Sub-100 nm InGaAs Quantum-Well (QW) Tri-Gate MOSFETs with Al2O3/HfO2 (EOT < 1 nm) for Low-Power Logic Applications
구분
국외
국가
-
컨퍼런스명
IEEE International Electron Devies Meeting
발표 제목
Sub-100 nm InGaAs Quantum-Well (QW) Tri-Gate MOSFETs with Al2O3/HfO2 (EOT < 1 nm) for Low-Power Logic Applications
기관명
IEEE International Electron Devies Meeting
참여 연도
2013
상세 설명
IEEE International Electron Devies Meeting