베리 곡률(BC)은 물질의 위상적 상들을 지배하며 이상 수송을 발생시킨다. 자성장이 가해지면, 스핀-격자 결합을 통해 음파(phonon)가 간접적으로 BC를 획득하여 선형 포논 홀 효과가 나타날 수 있다. 여기서 우리는 극성 격자 왜곡이 포논 BC 쌍극자(phonon BC dipole)와 직접 결합하여 스위치 가능한 비선형 포논 홀 효과를 유발함을 보인다. SnS 단일층에서 평면 내(인플레인) 강유전체성은 포논 BC를 유도하고 비휘발성 BC 메모리 효과의 포논(phononic) 버전으로 이어진다. 강유전체성-포논 결합의 새로운 유형으로서 포논 라시바 효과(phonon Rashba effect)가 나타나며, 기울어진 웨일 포논 모드에서 질량 갭(mass gap)을 열어 큰 포논 BC 쌍극자를 초래한다. 또한, 우리의 제1원리 비평형 분자역학(ab initio non-equilibrium molecular dynamics) 시뮬레이션 결과는 강유전체 스위칭을 통해 비선형 포논 홀 수송이 제어 가능한 방식으로 발생함을 보여준다. 강유전체성에 의해 구동되는 포논 BC와 이에 상응하는 비선형 포논 수송은 위상적 포논 수송/메모리 장치를 구성하기 위한 새로운 설계 방안을 제공한다.

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