Two-Terminal Variable Threshold Switching and Variability-Based Security/IoT Low-Power Memory Device Research
연구 내용
2D 이종구조에서 도전성 필라멘트 성장·파괴를 원자 수준으로 제어하고, 가변 임계 스위칭의 변동성을 보안 프리미티브로 활용하는 2단자 소자 연구
휘발성 임계 스위칭 소자에서 인가 전압에 따른 필라멘트 형성·붕괴 메커니즘을 2D 이종구조로 제한하여 스위칭 특성과 변동성을 함께 다룹니다. hBN-그래핀 기반 구조에서 Ag+의 이동 경로가 과도한 필라멘트 확산을 억제하도록 설계하여 임계 전압과 on/off 동작을 안정화하고, 원자 수준 결함 확장 문제를 완화하는 방향으로 접근합니다. 또한 임계 스위칭의 내재 변동성을 엔트로피 원천으로 해석하여 hardware security primitive로의 적용 가능성을 정리하고, 저전력 IoT를 위한 2단자 메모리·스위치 통합 설계와 크로스바 어레이 구조 개발을 통해 시스템 연동성을 높입니다.
관련 연구 성과
관련 논문
3편
관련 특허
0건
관련 프로젝트
6건
연구 흐름
초기에는 원자 수준에서 도전성 필라멘트를 제어하는 2D 이종구조 임계 스위치 개념을 확립하고, 필라멘트 성장-파괴의 전압 의존 거동을 제어해 스위칭 특성을 안정화하는 연구를 수행하였습니다. 이후 임계 스위칭 소자의 변동성을 엔트로피로 활용하는 보안 프리미티브 관점을 정리하는 리뷰 연구로 확장하였습니다. 병행하여 가변 임계전압 메모리와 크로스바 어레이 개발을 통해 2단자 소자 구조를 고집적화하는 방향으로 진행하였고, 단원자 기반 저전력 IoT 통합 소자로 연동 범위를 확대했습니다. 더 나아가 저항변화 메모리 기반의 3D V-NAND 스킴에서 우회 경로(RRAM bypass)를 설계하여 균일 스위칭을 확보하는 연구를 함께 수행하였습니다.
활용 가능성
활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.
관련 논문
구분
제목
Atomic Threshold Switch Based on All‐2D Material Heterostructures with Excellent Control Over Filament Growth and Volatility
Volatile threshold switching devices for hardware security primitives: Exploiting intrinsic variability as an entropy source
Strategic Material Design for Highly Reliable QLC 3D V-NAND Using Bypass Resistive Random Access Memory
관련 프로젝트
구분
제목
고집적 메모리용 2단자 가변 임계전압 소자 원천기술 및 크로스바 어레이 개발
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단원자 기반 초저전력 IoT용 통합 소자(2-terminal memory, switch, battery)개발
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