키랄리티 유도 스핀 선택성(CISS)은 강자성체나 외부 자기장 없이도 스핀 전류를 생성할 수 있게 하여, 혁신적인 스핀트로닉스 소자 설계를 가능하게 한다. 그 한 예로, 강자성 물질과 키랄 물질로 구성된 키랄 스핀 밸브(chiral spin valve)가 있으며, 이 경우 저항은 강자성체의 자화 방향과 키랄 물질의 키랄성(chirality) 모두에 의존한다. 지금까지 키랄 스핀 밸브는 주로 키랄 유기 분자를 활용해 왔으나, 이는 소자 응용에 제한이 있다. 무기 페로브스카이트의 성질과 키랄 유기 분자의 성질을 결합하는 키랄 페로브스카이트(chiral perovskites)는 CISS 기반 소자를 탐색하기에 탁월한 플랫폼을 제공한다. 그러나 기존의 키랄 페로브스카이트 기반 스핀 밸브는 저온에서만 자화저항(MR)을 보였다. 여기에서는 키랄 페로브스카이트/AlOx/수직 자기(Perpendicular) 강자성체(perpendicular ferromagnet) 구조로 이루어진 키랄 스핀 밸브에서 상온 자화저항을 보고한다. 키랄 MR이 온도 상승에 따라 증가하는 것이 관찰되며, 이는 본 소자에서 CISS에서의 스핀-궤도 결합이 음성(phonon) 유도에 의해 증강되는 핵심적 역할을 시사한다. 또한 증폭된 키랄성을 갖는 키랄 분자를 도입함으로써 키랄 MR을 향상시켰다. 이는 키랄리티 엔지니어링(chirality engineering)이 CISS 및 그에 연관된 키랄 MR을 개선하는 데 잠재력을 갖고 있음을 보여주며, 이를 통해 최첨단 스핀트로닉스 응용에 맞춘 키랄 스핀 밸브의 가능성을 열어준다.

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