Revisiting the role of oxidation in stable and high-performance lead-free perovskite-IGZO junction field-effect transistors
Seonkwon Kim, Su Hyun Kim, Hui Ung Hwang, Jeongmin Kim, Jeong Won Kim, In Cheol Kwak, Byeongjae Kang, Seung‐Jae Lee, Sae Byeok Jo, Du Yeol Ryu, Hyunjung Kim, Jae‐Min Myoung, Moon Sung Kang, Saeroonter Oh, Jeong Ho Cho
IF 18.1 (2025) Nature Communications
초록
≤1 V에서의 동작. 이러한 소자는 대기 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다. 또한 NOT, NOR 및 NAND와 같은 논리 게이트를 구성함으로써 이들의 적용 가능성을 입증한다. 이러한 결과는 Sn 기반 페로브스카이트 산화를 활용하여 전자 소자를 발전시킬 수 있는 잠재력을 부각한다.
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