우리는 포항가속기연구소 Pohang Accelerator Laboratory의 엑스선 자유전자레이저에서 단기간 빔타임을 수행하여, 실리콘(222) 금지 브래그 피크에 대한 펌프-프로브(PP) 레이저 여기 회절 실험을 수행하였다. 엑스선의 침투를 제한하기 위해, 실리콘 기판에 결합된 “디바이스 레이어” 실리콘 박막 웨이퍼를 사용하였다. MEMC Electronic Materials가 특별히 제작한 시료는 결정학적 고립을 위해 Si(100) 기판에 45° 회전된 170 nm Si(100) 필름을 접합한 것이었다. 두 번째 시료는 반응성 이온 식각으로 두께 52 nm까지 박리하였다. 실리콘 격자에서 공유결합은 오직 222 반사에서만 관측된다. 레이저 여기 시, 이러한 전자들은 펨토초 전자 시간 척도에서 전도대가 아닌 정성대(valence band)로 여기될 것으로 기대된다. 따라서 Si(222) 반사는 이 빠른 시간 척도에서 소광될 것으로 예상되는 반면, 전자-포논 결합 음향 반응은 격자 동역학에 의해 결정된다. 후자는 디바이스 두께에 대한 음속(sound speed)에 의해 결정되며, 이는 중간 펨토초(mid-picosecond) 범위에 해당한다.
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