좁은 밴드갭 반도체 또는 준금속에서 전자와 정공 사이의 쿨롱 인력이 여기자(insiton) 절연체(excitonic insulator)로 명명된, 포착하기 어려운 물질상을 유도할 것으로 예측된다. 그러나 이러한 전자적 불안정성의 직접 관측은 극히 드물다. 여기서 우리는 라만 분광법을 사용하여 후보 물질 Ta2NiSe5에서 정적 여기자 소거자(exciton) 감수성의 개시적 발산이 관측되었음을 보고한다. 여기자 질서 매개변수의 임계 요동은 B2g 대칭의 준탄성 산란을 유발하며, 그 세기는 TW ≈ 241 K인 바이스 온도(Weiss temperature)를 향해 온도가 내려갈수록 역비례로 증가한다. 이러한 현상은 동일한 대칭을 갖는 음향 포논에 의해 유도되는 구조적 상전이로 인해 TC = 325 K에서 억제된다. 동시에, B2g 광학 포논은 TC 부근에서 그 흔적이 거의 보이지 않을 정도로 강하게 감쇠된다. 이는 전자-포논 결합이 매우 강함을 나타내며, 이로 인해 저온 상이 여기자 절연체로 확인되는 일이 10년 이상 가려져 왔다. 우리의 결과는 상전이의 전자적 기원을 명확히 규명한다.

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