넓은 밴드갭 결정에서의 결함은 양자 광자(photonic) 응용을 가능하게 하는 색중심(color center)을 수용하는 유망한 플랫폼으로 부상하였다. 그중에서도 층상(반데르발스) 물질인 육방정계 질화붕소(hexagonal boron nitride, hBN)는 이종구조에 통합될 수 있는 능력으로 두드러지며, 이를 통해 p-n 접합의 필요성을 우회하는 비전형적인 전하 주입 메커니즘을 가능하게 한다. 이러한 진전은 큰 hBN 밴드갭 내부 깊은 곳에 존재하는 hBN 색중심을 전기적으로 여기(excitaion)할 수 있게 하였고, 최근 개발들에서 급속한 발전이 있었다. 여기서는 전기적 여기(electrical excitation)에 적합한 협대역 색중심을 생성하는 hBN 전계발광(electroluminescence, EL) 장치를 제작한다. 색중심은 장치 제작 과정에서 설계된 hBN 박막 내 터널링 전류 핫스팟(tunneling current hotspots)에 국소화된다. 우리는 배경 발광(background emission)을 최소화하고 장시간의 작동을 보장하기에 초점을 맞추어, 장치 구동의 최적 조건과 색중심의 안정성을 제시한다. 본 연구 결과는 기존 문헌을 후속하는 것으로, hBN 기반 색중심을 양자 광자 기술에 통합하는 데 한 걸음 더 나아가게 한다.

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