플로케 공학(Floquet engineering)은 시간 주기적인 전자기장을 이용하여 플로케-블로흐(Floquet-Bloch) 상태의 형성을 통해 양자 물질의 전자적 성질을 변화시킨다. 이러한 포톤-드레시드(photon-dressed) 상태는 물질과 구동 전기장의 특징을 모두 이어받아, 빛-물질 결합(light-matter hybrid) 시스템에서 양자 현상을 탐구하고 제어할 수 있게 한다. 중심대칭이 아닌 물질에서는 전자 파동함수의 양자 기하학적 특성으로부터 시프트 전류(shift current)가 발생할 수 있다. 그러나 플로케-블로흐 상태로부터의 시프트 전류는 실험적으로 아직 탐구되지 않았다. 여기서는 온칩(opt-chip) 광전자 회로를 사용하여 강한 광학적 구동 하에서 T d -WTe 2에서 플로케-블로흐 상태로부터 고유한 테라헤르츠(THz) 방출을 검출한다. 우리는 구동 전기장에 선형적으로 스케일링하는 강한 가장자리 국소화(edge-localized) 테라헤르츠 방출을 관찰하며, 이는 플로케-블로흐 상태가 생성하는 시프트 전류에 대한 이론적 예측과 일치한다. 이러한 결과는 강하게 구동되는 양자 물질에 대한 이해를 진전시키고, 향후 광전자 기술을 위한 효율적이며 바이어스(bias) 없는 테라헤르츠 소스의 개발에 대한 통찰을 제공한다.

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