유리 인터포저에서 관통 비아(through via) 충전은 희석된 염화물과 폴리에터 억제제 첨가제를 포함하는 황산구리(산성 구리 황산염) 전해질을 사용하여 탐구된다. 회전 디스크 전극을 이용한 순환전압전류법(cyclic voltammetry) 결과, 억제 붕괴 및 히스테리시스는 S자형 음의 미분 저항(S-shaped negative differential resistance, S-NDR)과 관련됨이 관찰되었다. 히스테리시스 전위 범위 내의 전위에서 수행한 비아 충전(특징 충전, feature filling) 실험은 비어(void) 없이 Cu를 충전하기 위해, 관통 비아의 중심에서 시작하여 전진하는 국소적인 석출을 유도함을 보여준다. 인터포저 시편 전반에 걸친 충전 균일성에 관한 문제는, 가장 오목한 표면 영역에서의 활성 성장(active growth)을 주기적으로 강화하도록 하는 비대칭 펄스 전위 접근법으로 해결하였다. 활성화 및 석출 전위는 전압전류법 및 S-NDR 충전 메커니즘을 바탕으로 선택하되, 보상되지 않은 전해질 및 접촉 저항으로 인한 분산 오믹 손실을 고려하여 결정한다.

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