선형 편광 자외선(UV)(325 nm) 및 가시광(513 nm) 빛을 이용한 GaN 나노로드 배열에 대한 유한차분 시간영역 시뮬레이션을 수행하였다. 주변 갭에서 전기장이 구속된 나노로드에서 향상된 광 흡수가 관찰되었다. 이러한 관찰의 타당성을 규명하기 위해, 이들의 3차원 그래픽 프로파일을 조사한 결과, 1) UV 영역에서 흡수 이득을 동반한 모달 공진이 형성되고, 2) 기판과의 계면에서의 반사가 가시광의 흡수를 미세하게 증가시키는 것으로 확인하였다. 고유값 방정식을 풀어, 또한 관측된 UV 광의 모달 흡수에는 누설 모드 공진의 TM 11 모드가 기여함을 확인하였다.

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