본 논문은 감지 소자의 온도계수(temperature coefficient)를 선택적으로 증폭할 수 있는 회로 기법을 제시하며, 이를 통해 전력 소모가 큰 판독(readout) 회로가 필요 없도록 하면서 전체 센서 구조를 단순화한다. 온도계수 증폭기는 음의 비례-절대온도(proportional-to-absolute-temperature, PTAT) 전압을 도입하여, 사용 가능한 온도 범위 내에서 PTAT 및 절대온도에 보완적인(complementary-to-absolute-temperature, CTAT) 전압 모두에 대해 증폭된 기울기를 가능하게 한다. 그 결과 낮은 복잡도의 판독 회로로 부담을 줄이면서도 정밀한 온도 측정을 달성한다. SAR 기반 변환을 사용하는 180 nm CMOS 구현 온도 센서는 소비전력 20.8 nW에서 $41\text{fJ}\cdot {\mathrm{K}}^2$의 우수성 지표(figure-of-merit)를 가지며, $-20^{\circ }\mathrm{C}$부터 100° C까지 22.2 mK 분해능을 제공한다. 또한 단일 지점 트리밍(trimming) 절차 이후 $3\mathbf{\sigma }$ 부정확도( inaccuracy )가 $\pm 1.44^{\circ }\mathbf{C}$로 나타난다.

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