InGaN/GaN 단일 양자우물(QW)은 층간 엑시톤 거동을 조사하기 위해 설계되었다. QW에서의 양자구속은 이종접합 계면 근처에 전하를 국소화하여, 층간 엑시톤 상태를 직접 관찰할 수 있게 한다. 저온 광발광(photoluminescence) 측정 결과, 2.02 eV에서의 뚜렷한 발광 피크가 확인되었으며, 이는 이종접합 계면에서 층간 엑시톤이 형성되었음을 시사한다. 이러한 전략은 혼합 차원(mixed-dimensional) 시스템에서 엑시톤 동역학을 공학적으로 제어하기 위한 독특한 접근법을 제공하며, 계면 층간 엑시톤 동역학을 맞춤화하여 활용하는 광전자 소자에 대한 함의를 갖는다.

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