다이(die)의 전체 영역에 대해 미세한 시간 분해능으로 정확한 온도 모니터링을 수행하는 것은 장치 성능을 극대화하는 데 결정적으로 중요하다. 특히 모바일 기기에서는 한정된 전력 예산 내에서 벤치마크 성능을 최대화하기 위해 누설 전력과 동작 전압을 최소화하도록 동작 경계 내에서 다이의 온도를 제어할 필요가 있다. 그러나 기존의 온도 센서를 사용하여 SOC 다이의 전체 영역 온도를 미세한 시간 분해능으로 측정하는 것은 어렵다. 온도 센서의 수가 제한되어 있고, 아날로그 회로를 통한 센싱의 시간 간격이 수 밀리초(ms) 범위이기 때문이다. 본 연구에서는 전력 미터와 열 RC 모델을 사용하여 다이 위의 온도 분포의 공간 및 시간 분해능을 향상(upscaling)함으로써 칩 전체 영역의 온도를 고해상도로 예측하는 방법론을 제안한다. 다중 열원(heat source)으로부터의 온도 응답을 중첩(superposition)하여 온도 구배(gradient)를 얻는다. 그 다음 열 RC 모델과 모니터링된 전력(이는 수 나노초(nanoseconds)마다 획득 가능)을 사용하여 시간 구간 내에서 고해상도의 온도를 보간(interpolation)으로 산출한다. CFD 시뮬레이션을 통해 제안한 방법의 타당성을 검증한다.

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