강유전체 HfZrO 기반 FeFET/FeTFET 메모리 및 시냅스 소자 연구

Ferroelectric HfZrO-based FeFET/FeTFET memory and synapse device research

연구 내용

HfZrO 계열 강유전체 박막의 상(phase)·누설·신뢰성 특성을 공정 변수로 제어하고 FeFET/FeTFET 구조에 반영하여 비휘발성 메모리 및 저전력 시냅스 동작을 구현하는 연구

HfZrO 계열 강유전체 박막의 강유전 특성과 전기적 신뢰성을 확보하기 위해 ALD 기반 적층 공정과 도핑/전구체 조건을 최적화합니다. 상 비율 변화와 누설 전류 저감, 절연 파괴 전압 및 반복 내구성을 함께 고려하여 FeFET 및 FeTFET의 메모리 창과 전력 특성을 개선합니다. 또한 게이트 전하 주입 구조와 채널 적층형 DRAM 셀로의 확장 설계를 통해 집적도와 동작 안정성을 연계하는 방향으로 연구를 수행합니다.

관련 프로젝트

2건

연구 흐름

초기에는 HfZrO 기반 강유전체 박막에서 Zr 전구체 및 적층 구조가 상 형성과 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하는 데 집중했습니다. 이후 Al 도핑 및 열 예산 호환 공정 조건을 확장하여 누설 저감과 장기 신뢰성, 반복 내구 특성을 체계적으로 검증했습니다. 최근에는 FeTFET 시냅스 소자 시연을 통해 저전력 동작과 학습 정확도 연동 가능성을 확인하고, 게이트 전하 주입형 메모리 어레이 및 채널 적층형 2F2 단일 트랜지스터 DRAM 셀로 집적 기술을 구체화하는 연구를 수행합니다.

활용 가능성

활용 가능성은 알앤디써클 특화 AI 에이전트가 생성한 내용으로, 실제 연구 가능 여부는 연구실과의 논의가 필요합니다.

3D 비휘발성 FeFET 메모리 어레이
저전력 시냅스 소자
다중비트 메모리 구현
강유전체 박막 신뢰성 평가
열 예산 호환 집적 공정
게이트 전하 주입 기반 동작
고누설 저감 메모리 셀
내구성 중심 소자 설계
뉴로모픽 연산 인터페이스
CMOS 호환 비휘발성 기억장치