쿨롱 봉쇄(Coulomb blockade, CB)는 초소형 정전용량을 갖는 나노스케일 시스템에서 발생하며, 이때 이산적인 충전 효과가 전자 수송을 지배하여 단일 전자 트랜지스터에 기반한 광범위한 응용을 가능하게 한다. 양자점 및 나노섬에서 전하 상태에 대한 정전기적 제어가 이미 확립되어 있음에도 불구하고, 접합 파라미터와 CB 스펙트럼 사이의 엄밀한 정량적 연계는 여전히 불명확하다. 본 연구에서는 주사 터널링 분광법(scanning tunneling spectroscopy)을 사용하여 반도체 흑린(black phosphorus) 위의 인듐(indium) 나노섬에서 CB의 공간적 변이를 조사하였다. 우리는 대전이 충전 공명(charging resonances)이 공간적으로 분산되어 나타나는 현상을 관찰했으며, 그 궤적은 바이어스에서 대칭축의 유한한 이동을 보일 뿐 아니라 현저한 비대칭 만곡을 나타내었다. 정통 이론(orthodox theory)에 기반한 계산과 실험 결과를 비교함으로써, 이러한 특징들이 접합에서의 일함수(work function) 차이에서 기인함을 밝혀냈으며, 이는 나노스케일 전하 수송에서 접합별 정전기의 중요성을 강조한다.

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