본 연구의 첫 번째 단계에서는 HEH의 고온 열분해를 플래시 열분해(<1400 K)와 진공 자외선(10.45 eV) 광이온화 비행시간 질량분석(VUV-PI-TOFMS)으로 조사하였다. 다음으로 HEHN의 열 및 촉매 분해에 대한 연구에서는 두 가지 질량분석 기법을 포함한다: (1) 조절 가능 VUV-PI-TOFMS(7.4-15 eV) 및 (2) 플라즈마와 레이저 이온화를 모두 활용하는 대기 이온화 질량분석. 여기서 HEHN은 가열된 불활성 또는 이리듐 촉매 표면 위에 도입되며 생성물을 분석한다. 생성물은 질량, 이온화 에너지, 그리고 충돌 유도 단편화 양상을 통해 동정될 수 있다. 생성물 종의 형성은 HEHN 분해 메커니즘에서 촉매 표면의 재결합이 중요한 반응 과정임을 시사한다. 생성물 및 이들의 가능한 원소 반응 메커니즘을 논의한다.

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