현대적 동적 랜덤 액세스 메모리 셀에 부합하는 수준까지 누설 전류를 성공적으로 억제하면서도 벌크 유전율 137의 높은 값을 유지한다. 이러한 결과는 향후 반도체 소자를 위한 ALD 박막에서 결정 방위(orientation) 공학을 활용할 수 있는 가능성을 명확히 보여준다.

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