본 고찰은 삼중 시간 민감(light detection) 센서를 제안한다. 제안된 센서는 전원 인가(power-up) 시퀀스에서 시작하여 추가 지연 셀(delay-cell) 로직에 기인한 지연으로 인해, 기존 대비 더 빠른 초기화를 수행한다. 또한 손가락(finger) 및 우물(well) 형 포토다이오드는 기존 구조와 비교하여 동일한 유효 활성 면적 $50\times 50\mu m{}^2$ 을 점유하면서도 더 빠르게 광을 감지한다. 손가락 형 구조의 포토다이오드는 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE) 76%, 응답도(responsivity) ( $R$ ) 0.336 A/W, 비특이 검출도(specific detectivity) $(D^{\ast })$ 는 $5.814\times 10^{11}$ Jones, 잡음 등가 전력(noise equivalent power, NEP) $8.599\times 10^{-17}$ W를 역 바이어스 1.8 V 조건에서 550 nm 미만의 조명 하에 나타내며, 이는 TCAD 시뮬레이션 결과로부터 도출되었다. 손가락 및 우물 형 포토다이오드를 적용한 두 가지 시제품 광 감지 센서는 180 nm 표준 CMOS 기술(1P6M)로 구현되었고, 광학 실험에서 기존 구조 대비 각각 약 3배 및 1.3배 더 빠른 광 감지 속도를 달성하였다.

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