이 연구는 제안된 이중 주파수 최대 달성 이득( $G_{ \max }$)코어와이중대역정합을채택함으로써,두대역간의폭넓은간격을갖는동시듀얼밴드증폭기를보고한다.제안된이중주파수$G_{ \max }$-코어는지배적인이득증폭조건을충족하는데에초점을맞추고,선형적이며손실이존재하고상호주의(reciprocal)기반의설계접근을채택함으로써두목표주파수간의차이를확장할수있다.65-nm상보성금속-산화물-반도체(CMOS)공정에구현된5단듀얼밴드증폭기는피크출력전력이득이각각23.6및13.7dB,3dB대역폭이각각5및17GHz이며,포화출력전력($P_{ ext{sat}}$)이$-$1.2및$-$ 2.2 dBm, 그리고 피크 전력 부가 효율이 각각 201 및 283 GHz에서 2.1 및 1.5%로 나타났으며, 직류 전력 소모는 34.5 mW이다. 제안된 증폭기는 G- (140–220 GHz) 및 H- (220–325 GHz) 대역에서 동시 듀얼밴드로 동작하는 증폭기에 대한 최초의 시연이다.

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