제목

나노 CMOS 기반의 고출력 서브테라헤르츠 신호원 개발

상세 설명

본 연구는 나노 CMOS 공정을 활용하여 250GHz 이상 대역에서 mW급 출력을 내는 고출력 서브테라헤르츠(THz) 신호원을 개발하는 데 초점을 맞추고 있습니다. 고주파 발진 회로의 새로운 구조를 제안해 발진 주파수와 출력 파워를 동시에 향상시키고, 0.5THz 이상에서도 안정적으로 동작하는 신호원을 구현합니다. 이를 위해 기생 커패시턴스를 최소화한 발진 구조, 전력 손실을 줄이는 임피던스 매칭 기법, 그리고 다중 출력을 결합하는 파워 컴바이닝 기술을 함께 연구하고 있습니다. 또한 측정 시스템과 주파수 분주기, 고성능 소자 모델링까지 아우르는 전 과정을 자체 구축해, 테라헤르츠 신호원의 실측 및 분석 역량을 확보합니다. 이 기술은 향후 차세대 초고속 통신, 이미징, 분광 시스템 등 다양한 산업에서 핵심적인 역할을 하게 될 것으로 기대됩니다.

기관명

한국연구재단

예산

키워드

프로젝트 기간

2015년 10월 - 2018년 09월

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