본 연구에서는 헥사메틸디실아자네(HMDS) 패시베이션을 적용한 고성능 인듐-틴-징크-옥사이드(ITZO) 박막 트랜지스터(TFT)의 제작과 특성 분석을 제시한다. HMDS 패시베이션의 도입은 HMDS 패시베이션이 없는 경우와 비교하여 ITZO TFT의 전기적 성능과 바이어스 스트레스 안정성을 유의미하게 향상시킨다. 엑스선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy) 측정 결과, HMDS 패시베이션을 적용한 ITZO TFT는 HMDS 패시베이션이 없는 것에 비해 활성 채널층에서 금속 산화물의 농도가 증가하고 산소 공석 및 하이드록실기의 농도가 감소하는 등 뚜렷한 장점을 제공함이 확인되었다. 그 결과, HMDS 패시베이션을 적용한 ITZO TFT는 포화 이동도 26.15 ± 1.14 cm2·V–1·s–1, 서브스레숄드 스윙 0.26 ± 0.04 V·dec–1, 온/오프 전류비 9 × 108을 나타내며, HMDS 패시베이션이 없는 ITZO TFT와 비교할 때 우수한 동작 바이어스 스트레스 안정성을 보였다.

*본 초록은 AI를 통해 원문을 번역한 내용입니다. 정확한 내용은 하기 원문에서 확인해주세요.