우리는 300 mm 웨이퍼 스케일 Si 포토닉스 플랫폼 위에 제작된, 단일(monolithic)적으로 집적된 n-GaAs/p-Si 공핍(depletion)형 광 위상천이기를 시연한다. 우리는 Mach–Zehnder 변조기에서 양 팔 모두에 GaAs/Si 광 위상천이기를 배치하여 위상천이기의 성능을 측정하였다. $V_{\pi }L$ 값이 0.3 V·cm만큼 낮은 변조 효율이 달성되었는데, 이는 pn 접합을 갖는 Si 캐리어 공핍형 광 위상천이기에 비해 훨씬 낮은 수준이다. 전파 손실은 $\sim 6.5\mathrm{dB}/\mathrm{mm}$ 로 비교적 높지만, 변조기 길이는 쉬프터의 높은 변조 효율로 인해 Si 기준 Mach–Zehnder 변조기의 동일한 광 변조 진폭에 대해 $\sim 4.2$ 만큼 줄일 수 있다.

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