본 연구에서는 먼저 양축(바이액셜) 압축 응력을 갖는 Ge(sGe) (100) 채널을 강조하는 이종(heterogeneous) 3-D( H3D) 순차 상보형 필드 효과 트랜지스터(seqCFETs)를 최초로 시연하였다. 이는 CFET 개발에서의 핵심 병목인 SiGe 응력기(stressor) 성장의 어려움으로 인해 제한되던 고이동도 상부(buried) 압축-응력 p-채널을 잠재적으로 해결할 수 있다. 고품질 이종에피택셜 성장 및 직접 웨이퍼 본딩(DWB)을 활용하여, Ge 가상 기판(virtual substrate)을 성장시키는 방식으로 6인치 Si 웨이퍼 위에 약 0.6%의 양축 압축 응력 sGe를 구현하였다. 이때 Si_0.5Ge_0.5 응력기/에칭 스톱퍼 및 sGe 채널 층을 성장시켰다. 마지막으로, 양축 압축 응력을 갖는 sGe(100) p-채널 MOSFET로 구성된 H3D seqCFET를 최초로 시연하였으며, 공급 전압(V_DD) = 1.25 V에서 전압 전달 곡선(VTC) 특성이 우수하고 높은 전압 이득(V_gain)이 51 V/V임을 확인하였다. 본 연구에서 제시한 방법으로 구현된 sGe 채널은 향후 고성능 수직 3-D 적층 CFET을 실현하는 데 매우 유망한 기술이 될 것으로 기대한다.

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