뉴로모픽 비전 센서는 효율적인 실시간 패턴 인식을 요구하지만, 기존 아키텍처는 에너지 및 지연 시간 제약을 충족하는 데 어려움을 겪는다. 본 연구에서는 수직 NAND 저장소를 활용하여 대규모 병렬 패턴 검출을 달성하는 새로운 in-situ 시공간 서열 검출기를 제시한다. 각 셀을 단일 트랜지스터 기반 멀티-레벨 셀(MLC) 메모리 소자 두 개로 인코딩하고(예: 강유전체 전계효과 트랜지스터, FeFET), 픽셀의 시간적 서열을 연속된 워드 라인(WL)들에 매핑함으로써 NAND 스트링 내부에서 직접적인 시간 패턴 검출이 가능해진다. 각 NAND 스트링은 단일 픽셀을 위한 전용 기준(reference) 역할을 하는 한편, 서로 다른 블록은 서로 다른 픽셀에 대한 패턴을 저장하여, 수직 NAND 저장에서 잘 확립된 동작인 단순 direct 비트-라인(BL) 감지로 대규모 시공간 패턴 인식을 수행할 수 있게 한다. 우리는 셀 수준과 어레이 수준 모두에서 본 접근법을 실험적으로 검증하였으며, 수직 NAND 기반 검출기가 기존 CPU 기반 방법에 비해 에너지 효율에서 6자릿수 이상(>10^6) 향상, 지연 시간에서 3자릿수 이상(>10^3) 감소함을 보여주었다. 이러한 결과는 수직 NAND 저장소가 차세대 뉴로모픽 비전 처리를 위한 확장 가능하고 에너지 효율적인 해결책임을 입증한다.

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