3단(Triple-level-cell, TLC) NAND는 비휘발성 메모리 시장에서 지배적인 위치를 차지해 왔으나, 4단(quad-level-cell, QLC) NAND는 저비용 및 고밀도 저장을 위한 적절한 대체안으로 부상하고 있다. 그러나 QLC는 비용 효율성이 있음에도 불구하고, 신뢰성이 더 나쁘다는 점뿐 아니라 순차 및 랜덤 읽기 성능이 느리다는 점 때문에 시장 점유율이 빠르게 증가하지 못하고 있다. 랜덤 읽기 성능을 향상시키기 위해 독립적인 플레인 읽기 동작이 도입되었지만 [1], [2], 고 I/O 및 데이터 경로 전류 소모로 인해 발생하는 읽기 및 패스(pass) 전압 잡음은 플레인 인터리빙 및 캐시 읽기 동작 동안 문턱 전압 분포의 변이를 초래한다. 또한 프로그램 및 소거(P/E) 사이클이 감소된 QLC에서는 원시(raw) 비트 오류 수가 ECC가 교정할 수 있는 양을 초과한다. 이를 보상하기 위해 더 많은 읽기-재시도(read-retry) 단계를 추가해야 하지만, 읽기 지연 시간이 증가한다.
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