본 논문은 실리콘 도파로 위에 스퍼터 코팅한 Ce:YIG 박막을 사용하고, 마하젠더형(Mach-Zehnder-type) 간섭계의 비상호(비가역) 위상천이 효과를 활용하여 단일 기판(monolithic)으로 집적된 광 아이솔레이터 칩의 실험적 시연을 제시한다. 완전한 CMOS 호환형 광 아이솔레이터 칩을 개발하였으며, 입력 파장 1550 nm에서 광 격리(optical isolation) 27.7 dB 및 삽입 손실(insertion loss) 6.4 dB를 달성하였다. 이 아이솔레이터 칩의 면적은 220 × 1310 µm^2이며, 다른 실리콘 포토닉스 소자들과의 손쉬운 집적을 통해 완전한 포토닉 집적회로(photonic integrated-circuit) 응용을 가능하게 한다. 본 초기 결과는, MO 박막을 실리콘 도파로 위에 직접 증착하기 위해 대량 생산 가능한 스퍼터링으로 제조된 단일 기판 집적 광 아이솔레이터가 대규모 제조에 대해 실현 가능함을 시사한다. 또한 도파로 구조와 자성광학(magneto-optic) 박막 코팅 조건을 최적화함으로써 칩 성능을 추가로 향상시킬 수 있다. MO 박막을 결정화(crystallize)하기 위해 일반적으로 사용되는 고온 어닐링 공정은 국소 레이저 어닐링으로 대체할 수 있다.

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