재조합 모델. 전자 누설 전류는 20°C에서 100°C로 온도가 증가함에 따라 유의하게 감소하였다. 온도 의존적인 전자 누설 전류를 얻기 위한 실험 결과는 시뮬레이션 결과와도 잘 일치하는 것으로 나타났다. 전자 누설 전류의 이러한 직관과 반대되는 온도 의존성은, 온도 증가에 따라 EBL에서 이온화된 애셉터 농도가 증가함으로써 온도가 높아질수록 전자에 대한 퍼텐셜 장벽이 증가하기 때문에 발생하였다. 또한 온도 의존적인 전자 누설에 대해 얻은 결과는 열이온 방출(thermionic emission) 모델과도 일관되었다. 본 연구에서 보고한 온도 의존성 결과는 GaN 기반 LED의 열적 droop에 대한 이해를 제공할 것으로 기대된다.

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