에피택셜층의 성장 방법 및 반도체 구조물
METHOD FOR GROWING EPITAXIAL LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
특허 요약
실시예는 표면에 요철이 형성된 기판을 준비하는 단계; 기 요철의 요부 중 일부를 비정질화하는 단계; 및 상기 기판 상에 에피택셜층을 성장시키는 단계를 포함하는 에피택셜층의 성장 방법을 제공한다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 표면에 요철이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 요철의 요부 중 일부를 비정질화하는 단계; 및상기 기판 상에 에피택셜층을 성장시키는 단계를 포함하고,상기 요철의 요부 중 일부를 비정질화하는 단계는,상기 기판의 표면에 마스크를 도포하는 단계와,상기 마스크의 일부를 제거하여, 상기 요철의 요부 중 일부를 노출시키는 단계와,상기 노출된 기판의 요부를 처리하여 비정질화하는 단계를 포함하여 이루어지는 에피택셜층의 성장 방법. |
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| 3 | 제1 항에 있어서,상기 마스크를 도포하는 단계는,실리콘 산화물을 상기 기판의 요부와 철부를 덮도록 도포하는 에피택셜층의 성장 방법. |
| 4 | 제1 항에 있어서,상기 마스크를 제거하는 단계는,상기 기판의 철부 중 적어도 일부를 덮는 마스크를 건식 식각 방법으로 제거하는 에피택셜층의 성장 방법. |
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| 13 | 표면에 요철이 형성된 기판;상기 요철의 철부의 상부에 형성된 비정질층; 및상기 기판의 상부에 형성된 에피택셜층을 포함하고,상기 비정질층의 두께는 상기 요철의 철부의 상부 영역에서 가장 두꺼운 반도체 구조물. |
| 14 | 제13 항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 에피택셜층은 GaN층이며, 상기 비정질층은 상기 기판에 질소 이온이 주입되어 형성된 반도체 구조물. |
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