스트레처블 기판;상기 스트레처블 기판 상에 배치된 강성 기판;상기 강성 기판 상에 배치된 제1 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극을 공유하는 제2 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 제1 소스 전극에 일 단부가 연결되고, 상기 스트레처블 기판 상에 배치되어 제1 방향의 변형률을 감지하는 제1 감지 전극; 및상기 제2 트랜지스터의 제2 소스 전극에 일 단부가 연결되고, 상기 제1 감지 전극 상에 배치되어 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 변형률을 감지하는 제2 감지 전극;을 포함하는, 변형률 센서.

제1항에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 전도성 고분자 재료로 이루어지는, 변형률 센서.

제1항에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배치된 제1 감지부들; 및 상기 제2 방향으로 배치되고 상기 제1 감지부들보다 전기 전도성이 더 높은 제1 연결부들을 포함하는, 변형률 센서.

제3항에 있어서, 상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배치된 제2 감지부들; 및 상기 제1 방향으로 배치되고 상기 제2 감지부들보다 전기 전도성이 더 높은 제2 연결부들을 포함하는, 변형률 센서.

제4항에 있어서, 상기 제1 감지부들 및 상기 제2 감지부들은 PEDOT:PSS 또는 PEDOT:PSS와 PEO의 혼합물로 이루어지고,상기 제1 연결부들 및 상기 제2 연결부들은 극성 용매가 도핑된 PEDOT:PSS 또는 극성 용매가 도핑된 PEDOT:PSS와 PEO의 혼합물로 이루어진, 변형률 센서.

제5항에 있어서, 상기 극성 용매는 에틸렌 글리콜(EG), 글리세롤, 디메틸 설폭사이드(DMSO) 중 하나 이상을 포함하는, 변형률 센서.

스트레처블 기판 상에 복수의 행 및 복수의 열로 배치된 복수의 변형률 센서들을 포함하고,각각의 변형률 센서는 상기 스트레처블 기판 상에 배치된 강성 기판; 상기 강성 기판 상에 배치된 제1 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터 상에 배치되고 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극을 공유하는 제2 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 제1 소스 전극에 일 단부가 연결되고, 상기 스트레처블 기판 상에 배치되어 제1 방향의 변형률을 감지하는 제1 감지 전극; 및 상기 제2 트랜지스터의 제2 소스 전극에 일 단부가 연결되고, 상기 제1 감지 전극 상에 배치되어 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향의 변형률을 감지하는 제2 감지 전극;을 포함하는, 변형률 센서 어레이.

제7항에 있어서, 하나의 변형률 센서의 상기 제1 감지 전극의 타 단부 및 상기 제2 감지 전극의 타 단부는 이웃한 다른 변형률 센서의 접지 패드에 연결된, 변형률 센서 어레이.

제7항에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 전도성 고분자 재료로 이루어지는, 변형률 센서 어레이.

제9항에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 상기 제1 방향으로 배치된 제1 감지부들; 및 상기 제2 방향으로 배치되고 상기 제1 감지부들보다 전기 전도성이 더 높은 제1 연결부들을 포함하는, 변형률 센서 어레이.

제10항에 있어서, 상기 제2 감지 전극은 상기 제2 방향으로 배치된 제2 감지부들; 및 상기 제1 방향으로 배치되고 상기 제2 감지부들보다 전기 전도성이 더 높은 제2 연결부들을 포함하는, 변형률 센서 어레이.

제11항에 있어서,상기 제1 감지부들 및 상기 제2 감지부들은 PEDOT:PSS 또는 PEDOT:PSS와 PEO의 혼합물로 이루어지고,상기 제1 연결부들 및 제2 연결부들은 극성 용매가 도핑된 PEDOT:PSS 또는 극성 용매가 도핑된 PEDOT:PSS와 PEO의 혼합물로 이루어진, 변형률 센서 어레이.

제12항에 있어서, 상기 극성 용매는 에틸렌 글리콜(EG), 글리세롤, 디메틸 설폭사이드 중 하나 이상을 포함하는, 변형률 센서 어레이.

제7항 내지 제13항 중 어느 하나의 변형률 센서 어레이; 및 상기 변형률 센서 어레이와 부착된 플렉서블 표시 패널을 포함하는, 표시 장치.