| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물. [화학식 1]화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기이고, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 2의 구조를 가지며, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 3의 구조를 가짐. [화학식 2]화학식 2에서, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17 및 R18은 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기이고, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17 및 R18 중에서 적어도 2개의 인접한 기는 서로 결합하여, 비치환 또는 치환된 C5-C20 지환족 고리 또는 비치환 또는 치환된 C3-C20 헤테로 지환족 고리를 형성함; L1은 단일결합 또는 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴렌기임. [화학식 3]화학식 3에서, R51, R52, R53, R54 및 R55는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 화학식 2의 모이어티는 하기 화학식 4A, 하기 화학식 4B, 하기 화학식 4C, 하기 화학식 4D, 하기 화학식 4E 또는 하기 화학식 4F의 구조를 가지는 유기 화합물. [화학식 4A][화학식 4B][화학식 4C][화학식 4D][화학식 4E][화학식 4F]화학식 4A 내지 화학식 4F에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함; R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37 및 R38은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기임; R41, R42, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 3 | 제 2항에 있어서, 화학식 4A 내지 화학식 4F에서, R41, R42, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20 알킬기, C6-C30 아릴기 또는 C3-C30 헤테로 아릴기인 유기 화합물. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 상기 화학식 2의 모이어티는 하기 화학식 5A, 하기 화학식 5B 또는 하기 화학식 5C의 구조를 가지는 유기 화합물. [화학식 5A][화학식 5B][화학식 5C]화학식 5A 내지 화학식 5C에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 5 | 제 1항에 있어서, 상기 화학식 2의 모이어티는 하기 화학식 6A, 하기 화학식 6B, 하기 화학식 6C, 하기 화학식 6D, 하기 화학식 6E 또는 하기 화학식 6F의 구조를 가지는 유기 화합물. [화학식 6A][화학식 6B][화학식 6C][화학식 6D][화학식 6E][화학식 6F]화학식 6A 내지 화학식 6F에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 6 | 제 1항에 있어서, 상기 화학식 3의 모이어티는 하기 화학식 7A, 하기 화학식 7B, 하기 화학식 7C 또는 하기 화학식 7D의 구조를 가지는 유기 화합물. [화학식 7A][화학식 7B][화학식 7C][화학식 7D]화학식 7A 내지 화학식 7D에서, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R68 및 R69는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 7 | 제 6항에 있어서, 화학식 7A 내지 화학식 7D에서, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R68 및 R69는 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20 알킬기, C6-C30 아릴기 또는 C3-C30 헤테로 아릴기인 유기 화합물. |
| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 8의 구조를 가지는 화합물 중에서 적어도 하나인 유기 화합물.[화학식 8] |
| 9 | 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 마주하는 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. [화학식 1]화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기이고, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 2의 구조를 가지며, R1, R2 및 R3 중에서 적어도 하나는 하기 화학식 3의 구조를 가짐. [화학식 2]화학식 2에서, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17 및 R18은 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기이고, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17 및 R18 중에서 적어도 2개의 인접한 기는 서로 결합하여, 비치환 또는 치환된 C5-C20 지환족 고리 또는 비치환 또는 치환된 C3-C20 헤테로 지환족 고리를 형성함; L1은 단일결합 또는 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴렌기임. [화학식 3]화학식 3에서, R51, R52, R53, R54 및 R55는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 10 | 제 9항에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 4A, 하기 화학식 4B, 하기 화학식 4C, 하기 화학식 4D, 하기 화학식 4E 또는 하기 화학식 4F의 구조를 가지는 유기발광다이오드. [화학식 4A][화학식 4B][화학식 4C][화학식 4D][화학식 4E][화학식 4F]화학식 4A 내지 화학식 4F에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함; R21, R22, R23, R24, R25, R26, R27, R28, R31, R32, R33, R34, R35, R36, R37 및 R38은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기임; R41, R42, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 11 | 제 10항에 있어서, 화학식 4A 내지 화학식 4F에서, R41, R42, R43 및 R44는 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20 알킬기, C6-C30 아릴기 또는 C3-C30 헤테로 아릴기인 유기발광다이오드. |
| 12 | 제 9항에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 5A, 하기 화학식 5B 또는 하기 화학식 5C의 구조를 가지는 유기발광다이오드. [화학식 5A][화학식 5B][화학식 5C]화학식 5A 내지 화학식 5C에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 13 | 제 9항에 있어서, 상기 화학식 2는 하기 화학식 6A, 하기 화학식 6B, 하기 화학식 6C, 하기 화학식 6D, 하기 화학식 6E 또는 하기 화학식 6F의 구조를 가지는 유기발광다이오드. [화학식 6A][화학식 6B][화학식 6C][화학식 6D][화학식 6E][화학식 6F]화학식 6A 내지 화학식 6F에서, L1은 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 14 | 제 9항에 있어서, 상기 화학식 3은 하기 화학식 7A, 하기 화학식 7B, 하기 화학식 7C 또는 하기 화학식 7D의 구조를 가지는 유기발광다이오드. [화학식 7A][화학식 7B][화학식 7C][화학식 7D]화학식 7A 내지 화학식 7D에서, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R68 및 R69는 각각 독립적으로 수소 원자, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알콕시기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 실릴기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 저마닐기(germanyl), 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 아미노기, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 티오기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴옥시기 또는 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴옥시기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 실릴기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 저마닐기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 아미노기, 비치환 또는 치환된 C6-C30 아릴 티오기, 비치환 또는 치환된 C3-C30 헤테로 아릴 티오기임. |
| 15 | 제 14항에 있어서, 화학식 7A 내지 화학식 7D에서, R61, R62, R63, R64, R65, R66, R67, R68 및 R69는 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20 알킬기, C6-C30 아릴기 또는 C3-C30 헤테로 아릴기인 유기발광다이오드. |
| 16 | 제 9항에 있어서, 상기 발광층은 적어도 하나의 발광물질층을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 17 | 제 16항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광물질층은 제 1 호스트를 포함하고, 상기 제 1 호스트는 상기 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 18 | 제 17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광물질층은 제 2 호스트를 더욱 포함하는 유기발광다이오드. |
| 19 | 제 17항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광물질층은 적어도 하나의 발광체를 더욱 포함하는 유기발광다이오드. |
| 20 | 제 19항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광체는 인광 발광체, 형광 발광체 및 지연형광 발광체 중에서 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드. |
| 21 | 제 19항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광체는 청색으로 발광하는 유기발광다이오드. |
| 22 | 제 16항에 있어서, 상기 발광층은 단일 발광부로 이루어지는 유기발광다이오드. |
| 23 | 제 16항에 있어서, 상기 발광층은, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 1 발광물질층을 포함하는 제 1 발광부; 상기 제 1 발광부와 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 2 발광물질층을 포함하는 제 2 발광부; 및 상기 제 1 발광부 및 상기 제 2 발광부 사이에 위치하는 제 1 전하생성층을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 발광물질층 중에서 적어도 어느 하나는 상기 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 24 | 제 23항에 있어서, 상기 발광층은, 상기 제 2 발광부와 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 3 발광물질층을 포함하는 제 3 발광부; 및 상기 제 2 발광부와 상기 제 3 발광부 사이에 위치하는 제 2 전하생성층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드. |
| 25 | 기판; 및상기 기판 상에 위치하며, 제 9항 내지 제 24항 중에서 어느 하나의 청구항에 기재된 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치. |
