| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물. 화학식 1화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1 |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물. 화학식 3화학식 3에서 R1 내지 R2, R5 내지 R12 및 m은 각각 화학식 1에서 정의된 것과 동일함; R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 C1~C20 알킬로 구성되는 군에서 선택됨. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 4의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물.화학식 4화학식 4에서, R1 및 R2, R5 내지 R12, R21 내지 R28 및 m은 각각 화학식 1과 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 5의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물. 화학식 5 |
| 5 | 제 1항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 6의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물을 포함하는 유기 화합물.화학식 6 |
| 6 | 서로 마주하는 제 1 전극 및 제 2 전극; 및상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 제 1 발광물질층을 포함하는 적어도 하나의 발광 유닛을 포함하고, 상기 제 1 발광물질층은 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. 화학식 1화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, C1 |
| 7 | 제 6항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 3의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. 화학식 3화학식 3에서 R1 내지 R2, R5 내지 R12 및 m은 각각 화학식 1에서 정의된 것과 동일함; R13 및 R14는 각각 독립적으로 수소, 중수소 및 C1~C20 알킬로 구성되는 군에서 선택됨. |
| 8 | 제 6항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 4의 구조를 가지는 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드.화학식 4화학식 4에서, R1 및 R2, R5 내지 R12, R21 내지 R28 및 m은 각각 화학식 1과 화학식 2에서 정의된 것과 동일함. |
| 9 | 제 6항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물과, 제 2 화합물을 포함하며, 상기 제 2 화합물은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 10 | 제 9항에 있어서, 상기 제 1 화합물의 여기 단일항 에너지 준위는 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드. |
| 11 | 제 6항에 있어서, 상기 제 1 발광물질층은 제 1 화합물과, 제 2 화합물과 제 3 화합물을 포함하고, 상기 제 2 화합물은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 12 | 제 11항에 있어서, 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위는 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드. |
| 13 | 제 11항에 있어서, 상기 제 3 화합물의 여기 단일항 에너지 준위와, 여기 삼중항 에너지 준위의 차이는 0.3 eV 이하인 유기발광다이오드. |
| 14 | 제 9항에 있어서, 상기 제 1 전극과 상기 제 1 발광물질층 사이 또는 상기 제 1 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 제 2 발광물질층을 더욱 포함하고, 상기 제 2 발광물질층은 제 4 화합물과 제 5 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 15 | 제 14항에 있어서, 상기 제 5 화합물의 여기 단일항 에너지 준위는 상기 제 2 화합물의 여기 단일항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드. |
| 16 | 제 14항에 있어서, 상기 제 2 발광물질층을 중심으로 상기 제 1 발광물질층의 반대쪽에 위치하는 제 3 발광물질층을 더욱 포함하고, 상기 제 3 발광물질층은 제 6 화합물과 제 7 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 17 | 제 16항에 있어서, 상기 제 7 화합물은 상기 유기 화합물을 포함하는 유기발광다이오드. |
| 18 | 제 16항에 있어서, 상기 제 5 화합물의 여기 단일항 에너지 준위는 상기 제 2 및 제 7 화합물의 여기 상태 단일항 에너지 준위보다 높은 유기발광다이오드. |
| 19 | 제 6항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 유닛은 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며 하부 발광물질층을 포함하는 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛과 상기 제 2 전극 사이에 위치하며, 상부 발광물질층을 포함하는 제 2 발광 유닛을 포함하고, 상기 하부 발광물질층과 상기 하부 발광물질층 중에서 적어도 하나는 상기 제 1 발광물질층을 포함하며, 상기 제 1 발광 유닛과 상기 제 2 발광 유닛 사이에 위치하는 전하생성층을 더욱 포함하는 유기발광다이오드. |
| 20 | 기판; 및상기 기판 상에 위치하며, 제 6항 내지 제 19항 중에서 어느 하나의 청구항에 기재된 유기발광다이오드를 포함하는 유기발광장치. |
| 21 | 제 1항에 있어서, 화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노 및 C1~C20 알킬로 구성되는 군에서 선택되는 유기 화합물. |
| 22 | 제 6항에 있어서, 화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노 및 C1~C20 알킬로 구성되는 군에서 선택되는 유기발광다이오드. |
| 23 | 제 6항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 5의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물인 유기발광다이오드.화학식 5 |
| 24 | 제 6항에 있어서, 상기 유기 화합물은 하기 화학식 6의 구조를 가지는 어느 하나의 유기 화합물인 유기발광다이오드.화학식 6 |