| 번호 | 청구항 |
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| 6 | 하부 전극층 상에 전자 수송층을 도포하는 단계;상기 전자 수송층 상에 양자점 박막층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 양자점 박막층은 양자점의 리간드(ligand)가 2종 이상의 염을 사용하여 치환된 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자의 제조 방법. |
| 1 | 하부 전극층과 상부 전극층 간에 양자점 박막층이 형성된 광센서 소자로서,상기 양자점 박막층은 양자점의 리간드(ligand)가 2종 이상의 염을 사용하여 치환된 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자. |
| 2 | 청구항 1에 있어서,상기 2종 이상의 염은 아세테이트 염인 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자. |
| 3 | 청구항 2에 있어서,상기 2종 이상의 염은 NH4Ac와 NaAc를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자. |
| 4 | 청구항 3에 있어서,상기 NH4Ac와 상기 NaAc의 농도비는 0.5 |
| 5 | 청구항 2에 있어서,상기 하부 전극층 상에 전자 수송층이 도포되고,상기 양자점 박막층 상에 정공 수송층이 형성된 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자. |
| 7 | 청구항 6에 있어서,상기 양자점 박막층을 형성하는 단계는,올레산 리간드가 결합된 단적외선 대역 PbS(황화납)계 양자점을 합성하는 단계;할로젠 리간드와 상기 2종 이상의 염을 유기용매에 녹인 전구체 용액과 상기 양자점을 혼합하는 단계;상기 양자점을 침전 및 건조 후 용매에 재분산시키는 단계;상기 양자점이 재분산된 용액을 상기 전자 수송층 상에 스핀 코팅(spin-coating)하여 상기 양자점 박막층을 형성하는 단계를 포함하는,양자점 기반의 광센서 소자의 제조 방법. |
| 8 | 청구항 7에 있어서,상기 양자점 박막층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 및상기 정공 수송층 상에 상부 전극층을 증착하는 단계를 더 포함하는,양자점 기반의 광센서 소자의 제조 방법. |
| 9 | 청구항 6에 있어서,상기 2종 이상의 염은 아세테이트 염인 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자의 제조 방법. |
| 10 | 청구항 9에 있어서,상기 2종 이상의 염은 NH4Ac와 NaAc를 포함하는 것을 특징으로 하는,양자점 기반의 광센서 소자의 제조 방법. |
| 11 | 청구항 10에 있어서,상기 NH4Ac와 상기 NaAc의 농도비는 0.5 |
