비휘발성 메모리 장치 내 다수의 메모리 셀의 문턱 전압 산포(threshold voltage distribution)를 모델링하는 방법에 있어서,(a) X축을 전압 레벨로 하고, Y축을 메모리 셀 개수로 하는 XY 좌표계 상의 상기 문턱 전압 산포의 피크 지점의 X 좌표인 중심 X 좌표점을 설정하는 단계;(b) 상기 중심 X 좌표점을 기준으로, 좌측으로 소정의 간격만큼 이격된 X 좌표인 제1 기준 읽기 X 좌표점, 및 상기 제1 기준 읽기 X 좌표점에 대칭되는 X 좌표인 제2 기준 읽기 X 좌표점을 설정하는 단계;(c) 상기 제1 기준 읽기 X 좌표점에 대응되는 제1 기준 전압 레벨, 및 상기 제2 기준 읽기 X 좌표점에 대응되는 제2 기준 전압 레벨에서 각각 독출된 데이터를 기반으로, 상기 제1 기준 전압 레벨, 및 상기 제2 기준 전압 레벨까지의 상기 메모리 셀 개수를 카운트하는 단계;(d) 하기 [수학식 1]에 따라, 제1 기준 XY 좌표점(xr1, yr1) 및 제2 기준 XY 좌표점(xr2, yr2)를 결정하는 단계; 및 [수학식 1](여기서, m은 상기 중심 X 좌표점, xrr1은 상기 제1 기준 읽기 X 좌표점, xrr2는 상기 제2 기준 읽기 X 좌표점, C1은 상기 제1 기준 전압 레벨까지의 상기 메모리 셀 개수, C2는 상기 제2 기준 전압 레벨까지의 상기 메모리 셀 개수임.)(e) 상기 제1 기준 XY 좌표점(xr1, yr1) 및 상기 제2 기준 XY 좌표점(xr2, yr2)을 포함하는 기준 좌표점 집합을 참조하여, 상기 문턱 전압 산포를 모델링하는 함수의 계수를 결정하는 단계;를 포함하는 방법.