| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 폴리로택세인(polyrotaxane) 화합물, 가교제, 리튬염 및 유기용매를 포함하고,상기 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것이며,상기 폴리로택세인 화합물은 α-사이클로덱스트린 분자를 10개 내지 90개 포함하는 것인, 고체 전해질 제조용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,L1은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,[화학식 2]상기 화학식 2에서,L2는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이다. |
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| 3 | 청구항 1에 있어서,상기 폴리로택세인 화합물의 중량평균분자량은 10,000g/mol 내지 100,000g/mol인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 4 | 청구항 1에 있어서,상기 폴리로택세인 화합물의 함량은 상기 고체 전해질 제조용 조성물 전체 중량을 기준으로 5 중량% 내지 20 중량%인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 5 | 청구항 1에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량비는 1:1 내지 10:1인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 6 | 청구항 1에 있어서,상기 가교제의 함량은 상기 고체 전해질 제조용 조성물 전체 중량을 기준으로 0.5 중량% 내지 5 중량%인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 7 | 청구항 1에 있어서,상기 리튬염은 LiNO3 및 LiClO4 중 선택된 1종 이상인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 8 | 청구항 1에 있어서,상기 고체 전해질 제조용 조성물 내 리튬염의 농도는 0.05M 내지 3.0M인 고체 전해질 제조용 조성물. |
| 9 | 테플론 판에 청구항 1의 고체 전해질 제조용 조성물을 도포한 후 열처리하여 열경화하고,상기 조성물이 도포 및 열경화된 테플론 판을 진공 조건에서 건조시킨 후, 테플론 판에서 고체 필름을 떼어내는 단계를 포함하는 리튬 이차 전지용 고체 전해질의 제조 방법. |
| 10 | 청구항 9에 있어서,상기 열경화는 50℃ 내지 90℃의 온도에서 수행되는 것인 리튬 이차 전지용 고체 전해질의 제조 방법. |
| 11 | 청구항 1의 고체 전해질 제조용 조성물의 열경화물을 포함하는 리튬 이차 전지용 고체 전해질. |
| 12 | 양극 활물질을 포함하는 양극; 음극 활물질을 포함하는 음극; 및상기 양극 및 음극 사이에 개재되는 청구항 11의 리튬 이차 전지용 고체 전해질을 포함하는 리튬 이차 전지. |
