평균입도 10㎛ 미만인 마그네슘(Mg) 미세분말과 평균입도 10㎛ 초과인 마그네슘 미세분말을 혼합하여 혼합 마그네슘 미세분말을 제조하는 제 1 단계;상기 혼합 마그네슘 미세분말과 보론(B) 분말을 혼합하여 마그네슘-보론(Mg-B) 혼합분말을 제조하는 제 2 단계;상기 마그네슘-보론 혼합분말을 금속 튜브에 장입하고 인발하여 선재를 제조하는 제 3 단계; 및상기 선재를 열처리하여 In-situ MgB2 초전도 선재를 제조하는 제 4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 In-situ MgB2 초전도 선재의 제조방법.

제 1 항에 있어서, 상기 평균입도 10㎛ 미만인 마그네슘(Mg) 미세분말은 상기 마그네슘 미세분말 중 10% 누적 입도 분포값(D10)이 2 내지 4㎛에 해당하며; 상기 마그네슘 미세분말 중 50% 누적 입도 분포값(D50)이 7 내지 9㎛에 해당하며; 상기 마그네슘 미세분말 중 90% 누적 입도 분포값(D90)이 14 내지 18㎛에 해당하고, 상기 평균입도 10㎛ 초과인 마그네슘(Mg) 미세분말은 상기 마그네슘 미세분말 중 10% 누적 입도 분포값(D10)이 6 내지 8㎛에 해당하며; 상기 마그네슘 미세분말 중 50% 누적 입도 분포값(D50)이 15 내지 18㎛에 해당하며; 상기 마그네슘 미세분말 중 90% 누적 입도 분포값(D90)이 20 내지 27㎛에 해당하는 것을 특징으로 하는 In-situ MgB2 초전도 선재의 제조방법.

제 1 항에 있어서, 상기 혼합 마그네슘 미세분말은 상기 평균입도 10㎛ 미만인 마그네슘(Mg) 미세분말 70 내지 80wt% 및 상기 평균입도 10㎛ 초과인 마그네슘 미세분말 20 내지 30wt%가 혼합되어 제조되는 것을 특징으로 하는 In-situ MgB2 초전도 선재의 제조방법.

제 1 항에 있어서, 상기 In-situ MgB2 초전도 선재는 MgB2 초전도 코어를 하나 또는 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 In-situ MgB2 초전도 선재의 제조방법.

제 1 항에 있어서, 상기 In-situ MgB2 초전도 선재는 MgB2 초전도 코어의 기공이 최소화되어 임계전류밀도 특성이 향상된 것을 특징으로 하는 In-situ MgB2 초전도 선재의 제조방법.